基于InGaAs/InP盖革模式雪崩二极管探测器的激光雷达的应用

摘要：

在过去的十年里,随着材料生长、设备装置设计及操作电路等各方面的提升,InGaAs/InP盖革模式雪崩二极管(APD)技术得到了长足的发展.高性能、大面阵的雪崩二极管探测器阵列被成功设计并生产出来.该探测器阵列具有单光子探测灵敏度,并能完成三维成像.基于上述优势,该模式下的激光雷达已被广泛应用于机载平台.亚纳秒量级的脉冲激光雷达在探测距离数十千米时,可以获得厘米量级的距离分辨率.通过使用高性能的单光子探测器,这种模式下的激光雷达在测绘速度上较其它模式的激光雷达有很大的提升.更令人振奋的是,该模式下的波长超过1400 nm对人眼安全的二极管激光雷达在无人驾驶领域具有得天独厚的优势,将在未来的自动驾驶应用中崭露头角.

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在线出版日期：2020-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：47-48