短波红外铟镓砷探测器材料表面缺陷研究

摘要：

短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器材料的表面缺陷控制起来尤为困难.优化了分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)In束源炉的温度设置.结果 表明,In炉上下温差为130℃时所生长的短波红外晶格失配In0.83Ga0.17As材料的表面缺陷密度最小,由此有效地将材料的表面缺陷密度由3000 cm-2左右降至约500 cm-2.结合短波红外晶格失配InGaAs材料的室温光致发光测试,经分析可知,In束源炉上下温差存在最优值的现象是由于In金属液滴和炉子顶部杂质引起卵形缺陷这两种机制的共同作用而引起的.本文制备的低缺陷密度晶格失配InGaAs探测器材料为发展高性能延伸波长短波红外焦平面阵列打下了基础.

关键词：短波红外、延伸波长、InGaAs探测器材料、表面缺陷、分子束外延

所属期刊栏目：41

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：黑龙江省自然科学基金项目;国家重点研发计划项目

在线出版日期：2020-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1-8