10.3969/j.issn.1672-8785.2019.12.002
12.5μm碲镉汞长波红外探测器暗电流研究
随着红外探测器技术的发展,延长探测器的工作波长成为重要的发展方向之一.由于工作波长随x值的变化而带隙可调,碲镉汞材料得到了广泛应用.随着波长增长,暗电流成为限制红外探测器发展的主要因素.以12.5 μm碲镉汞长波红外探测器为例,通过仿真研究了工作温度和固定电荷对其暗电流的影响,并对77 K和60 K下不同种类的暗电流进行了分析.该研究使我们对12.5 μm探测器的暗电流具有更深入的了解,为提高12.5 μm探测器的制备水平提供了方向.
碲镉汞、红外探测器、暗电流
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TN3(半导体技术)
2020-05-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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