不同冷屏黑化工艺对红外探测器性能的影响

摘要：

结合红外探测器的光学性能设计,介绍了利用冷屏黑化层工艺来吸收和抑制杂散辐射的原理.基于同一种冷屏结构,对比了三种不同的表面黑化工艺,并测试分析了冷屏黑化层的表面吸收率等物理性能参数.通过红外探测器性能测试,分析了不同冷屏黑化工艺对红外探测器性能的实际影响.结果 表明,在2～ 14μm波段,2#和3#冷屏黑化工艺的表面吸收率的一致性较好;在8～11μm波段,它们对红外探测器的杂散辐射具有良好的吸收与抑制效果.

关键词：红外探测器、冷屏、黑化工艺

所属期刊栏目：40

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：17-22