10.3969/j.issn.1672-8785.2019.11.004
不同冷屏黑化工艺对红外探测器性能的影响
结合红外探测器的光学性能设计,介绍了利用冷屏黑化层工艺来吸收和抑制杂散辐射的原理.基于同一种冷屏结构,对比了三种不同的表面黑化工艺,并测试分析了冷屏黑化层的表面吸收率等物理性能参数.通过红外探测器性能测试,分析了不同冷屏黑化工艺对红外探测器性能的实际影响.结果 表明,在2~ 14μm波段,2#和3#冷屏黑化工艺的表面吸收率的一致性较好;在8~11μm波段,它们对红外探测器的杂散辐射具有良好的吸收与抑制效果.
红外探测器、冷屏、黑化工艺
40
TN215(光电子技术、激光技术)
2020-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
17-22