10.3969/j.issn.1672-8785.2019.11.002
nBn型InAsSb探测器的材料及器件研究
nBn型红外探测器可有效抑制产生一复合电流,进而提高探测器的工作温度.由于制备工艺可移植于Ⅲ/Ⅴ族成熟工艺以及存在晶格完全匹配的衬底等优势,InAsSb/A1AsSb材料是nBn型红外探测器的首选.简单介绍了InAsSb/A1AsSb nBn型红外探测器的研究现状、工作原理以及近期的研究成果.通过生长试验实现了良好的材料表面质量、晶体质量和光学性能.相关结果表明,在制备器件时,nBn结构中势垒层的掺杂浓度不应低于8×1016 cm-3,否则就不利于减小nBn型器件的暗电流.
nBn结构、InAsSb、高工作温度、暗电流
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TN215(光电子技术、激光技术)
2020-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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