直拉法制备锑化铟单晶的表面杂质研究

摘要：

制备高质量锑化铟(InSb)单晶是发展大规模红外焦平面器件以及新型高温红外探测器衬底材料的关键.而在用直拉法生长InSb的过程中,表面杂质的出现会严重影响成品率.利用X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectrosco-py,XPS)技术研究了生产中InSb晶体表面杂质膜层的成分,分析了其主要来源及造成的影响,并采取相应工艺措施进行了改进.结果表明,InSb晶体表面杂质膜层的主要成分为In2O3 、Sb2O3 和Sb2O5 三者的混合物以及碳沾污,其厚度不超过40 nm.通过对单晶炉处理和保护气氛的工艺优化,表面杂质大大减少,为获得高质量晶体奠定了基础.

关键词：直拉法、锑化铟、杂质、成分

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2020-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：8-13