束流强度分布与膜厚的关系

摘要：

为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况.利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26％.实验测试的膜厚的最厚点为8.1582μm,最薄点为5.9362 μm,比例为72.76％,与计算结果基本相符.因此,可以确定束流强度分布对膜厚有一定的影响.但实际材料的膜厚不仅受束流分布的影响,还与其他工艺参数相关.由于采用了理论计算与实验相互对比的方法,比单纯实验所得出的结果更准确可靠.

关键词：MBE、硅基衬底、束流分布

所属期刊栏目：40

分类号：TN302(半导体技术)

在线出版日期：2020-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：23-27