单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

摘要：

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展.研究了一种采用A1GaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底.琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小.将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Tran-sistor,pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术.结果 表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 μm,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5μm,开启电压为-0.8V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台.这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域.

关键词：增强型、耗尽型、pHEMT、低噪声放大器、单片微波集成电路、二维电子气

所属期刊栏目：40

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2020-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-22