大面阵碲镉汞长波红外焦平面器件刻蚀工艺非均匀性研究

摘要：

作为探测器组件的性能指标之一,响应率非均匀性对其实际应用具有重要影响,尤其是在低背景空间应用领域.大面阵探测器芯片的接触孔尺寸不均匀是导致器件响应不均匀的因素之一.对1280×1024大面阵长波红外探测器芯片的接触孔刻蚀工艺进行了研究,并提出了优化改进措施.结果 表明,本文方法可提高刻蚀工艺的均匀性,进而降低探测器组件响应率的非均匀性.

关键词：大面阵、长波、碲镉汞、刻蚀、非均匀性

所属期刊栏目：40

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-11