InAs/GaSb应变超晶格红外调制光谱研究

摘要：

在用步进扫描傅里叶变换红外 (Fourier Transform Infrared, FTIR) 调制光致发光 (Photoluminescence, PL) 光谱仪进行测试时, 基于FTIR的优势, 并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点, 通过减弱背景干扰来提高信号强度.研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响, 并通过改变测试参数, 总结出了针对不同材料的测试方法.这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值.

关键词：InAs/GaSb应变超晶格材料、光致发光光谱、截止波长、分子束外延

所属期刊栏目：40

分类号：TM23(电工材料)

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：14-18