用于InSb探测器芯片的激光划片工艺方案简析

摘要：

针对InSb探测器芯片,基于紫外皮秒激光器搭建了定制化的光学平台和振镜系统.通过固定激光脉冲的重复频率,探讨了低能量多刀数以及高能量少刀数等工艺条件,获得了适合InSb探测器芯片激光划片的工艺条件.结果表明,热影响与崩边情况均可满足项目要求.

关键词：InSb材料、激光划片、热影响、崩边

所属期刊栏目：39

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19