碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究
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10.3969/j.issn.1672-8785.2018.12.003

碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

引用
采用Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管电流的影响进行了仿真和分析.结果表明,结深对电流的影响受吸收层厚度和p区载流子浓度两方面的作用.对不同波长二极管的电流随结深的变化情况进行了拟合,得出了不同波长条件下电流达到最大值时的结深大小.

Hg1-xCdxTe、结深、电流

39

TN3(半导体技术)

2019-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

12-15

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1672-8785

31-1304/TN

39

2018,39(12)

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