低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究

摘要：

随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高.材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial,MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素.通过解决MBE系统束流稳定性、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题,以及通过正交试验优化生长参数,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500 cm-2以内,最优值达到57.83 cm-2.

关键词：Si基碲镉汞、分子束外延、表面缺陷

所属期刊栏目：39

分类号：TN219(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：12-15,48