100mm直径低位错密度InSb单晶生长研究

摘要：

InSb是一种重要的中波红外探测器材料.为了满足更大规模、更高质量红外焦平面探测器的发展要求,对100 mm直径低位错密度InSb单晶的生长进行了研究.通过改良生长方法、优化籽晶、改进缩颈工艺、优化热场,最终获得位错密度小于等于100 cm-2、直径大于等于100 mm的大尺寸低位错密度InSb晶体.晶体沿晶棒从头到尾部的位错密度分布均匀,可用率高,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求.

关键词：InSb、100 mm、Czochralski、缩颈、籽晶

所属期刊栏目：39

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：9-12,17