10.3969/j.issn.1672-8785.2017.12.004
分子束外延InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格由于具有独特的能带结构和良好的材料性能被认为是第三代红外探测器的首选,近年来被广泛研究,并取得快速发展.分子束外延能够精确控制材料界面与周期厚度,是超晶格材料生长的主流手段.利用分子束外延技术在GaSb衬底上分别生长了中波、长波超晶格材料,并对所生长的超晶格材料的性能进行了全面表征,最后用制备的面阵器件验证了该材料的性能.
InAs/GaSb、Ⅱ类超晶格、分子束外延、红外探测器
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TN2(光电子技术、激光技术)
2018-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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