线切割InSb晶片表面损伤研究

摘要：

利用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)、台阶仪和X射线衍射仪(X-ray Diffraction,XRD)研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度,定量分析了损伤层的厚度,并探讨了影响InSb切割晶片表面损伤的因素.结果表明,线切割InSb晶片的表面较平整,粗糙度小,表面损伤小,损伤层的厚度约为14μm,小于常规内圆切割晶片.研究结果对大尺寸、大批量InSb晶片的生产及后续加工具有一定的参考价值.

关键词：InSb、线切割、内圆切割、表面损伤

所属期刊栏目：38

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-19,26