10.3969/j.issn.1672-8785.2017.02.002
分子束外延InSb薄膜材料的表面微观形貌研究
用原子力显微镜等方法研究了在InSb (001)衬底和(001)偏(111)B面2 °衬底上分子束外延生长的同质外延薄膜和掺Al薄膜样品表面的微观形貌.对比了不同衬底同质外延时生长模式的差异,并观察了加入Al后引入的交叉影线,分析了其产生的原因.研究表明,使用有偏角的衬底更有利于减少分子束外延薄膜的表面缺陷.
InSb薄膜材料、原子力显微镜、微观形貌、衬底偏角
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TN2(光电子技术、激光技术)
2017-03-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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