InSb晶片的机械加工损伤层研究

摘要：

结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探讨了损伤层结构及引入因素.研究结果表明,切割加工是引入InSb晶片表面损伤层的主要工序,其表面损伤层的深度达到16μm左右;双面研磨的InSb晶片表面的损伤层深度约为12 μm;经机械化学抛光加工后的InSb晶片表面的损伤层深度明显减小,约为2μm.

关键词：InSb、切割、研磨、抛光、损伤层

所属期刊栏目：38

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2017-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-11