金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究

摘要：

通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料.利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征.通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势.利用SIMS技术还分析了Ⅰ、Ⅱ族和Ⅵ、Ⅶ族杂质在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用.研究结果对提高探测器的性能具有指导意义.

关键词：Hg1-xCdxTe晶体、二次离子质谱、气相外延、Au掺杂、杂质

所属期刊栏目：37

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目61106097,61204134,11304335;中国科学院三期创新项目CX-26;中国载人空间站工程TGJZ800-2-RW024

在线出版日期：2016-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-6,16