基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基光电探测器研究

摘要：

石墨烯具有电子迁移率高、透过率高(T≈97.7％)且费米能级可调的特性.砷化镓的电子迁移率比硅的大5到6倍.引入砷化铟量子点后,光电探测器具有低暗电流、高工作温度、高响应率和探测率的特点,因而可被用于制备响应快、量子效率高和光谱宽的光电探测器.对基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基结的I-V特性和光电响应进行了研究.结果表明,在0V偏压下,该器件在400nm～950nm均有响应,峰值响应率可达0.18 A/W;在反向偏压下,器件的峰值响应率可达到0.45 A/W.通过对暗电流随温度变化的特性进行分析,得到了InAs/GaAs量子点-石墨烯肖特基结在室温附近以及80 K附近的势垒高度.

关键词：石墨烯、肖特基结、砷化镓、砷化铟、量子点

所属期刊栏目：37

分类号：TN29(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61474130;中科院百人计划,国家重点基础研究发展计划CSTC2009CA2003;973计划2012CB619200;中科院创新基金CXJJ-14-S82

在线出版日期：2016-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：10-15,28