10.3969/j.issn.1672-8785.2016.05.008
β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池的模拟与优化
运用AFORS-HET软件对β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)HIT型异质结太阳能电池的性能进行了模拟,并对各层参数进行了优化.模拟结果表明,在FeSi2(n)/c-si(p)结构上加上本征层和背场,能显著地提高电池的性能.加入缺陷并优化各项参数后,电池的最后参数为VoC=647.7 mV,JSC=42.29 mA·cm-2,FF=75.32%,EFF=20.63%,β-FeSi2(n)/c-Si(p)太阳能电池的效率提高了2.3%.
afors-het、β-FeSi2、少数载流子、本征层、背场
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TM914.4
2016-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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