In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

摘要：

采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性能的影响.结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高,其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高.这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的.而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄膜相近.

关键词：PbSe薄膜、掺杂、磁控溅射、能带结构、光电敏感性

所属期刊栏目：37

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目51271022;中央高校基本科研业务费专项资助项目FRF-TP-14-008A2;北京市青年英才计划YETP0353

在线出版日期：2016-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：12-21