重掺砷单晶硅制备中砷的蒸发速率常数的测定

摘要：

在采用柴式(Czochralski,CZ)法生长重掺砷(As)单晶硅的过程中,掺杂剂——As具有较强的蒸发性.为了有效抑制As蒸发对单晶硅电阻率的影响,需要测定As的蒸发速率常数.通过实验测量给出了晶体样块中As浓度随蒸发时间的变化曲线,然后对实验曲线进行了线性回归分析,得到了重掺As单晶硅制备中As的蒸发速率常数(1.43× 10-4 cm/s).该结果在实际应用中被验证是正确而有效的,这对精确控制重掺As单晶硅的电阻率有着重要意义.

关键词：重掺As单晶硅、蒸发速率常数、线性回归分析、有效分凝系数

所属期刊栏目：36

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2015-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8