在电阻阵列像素单元中使用过驱动技术的电路设计

摘要：

设计了一种用于研究在电阻阵像素单元中使用过驱动技术的电路结构.与国外过驱动技术的实现方式相比,该方式采用开环控制形式,省去了系统闭环计算和查表环节,节省了系统资源,改善了系统的实时性.该电路结构是通过分析过驱动技术原理而设计的,能满足对电阻阵微桥电阻热响应时间t1、过驱动因子Kod和温度动态范围的研究要求,而且符合像素单元面积的限制条件,其Kod在1～1.5的范围内是可调的.对该电路进行了仿真、版图设计,并请华润上华公司(CSMC)用0.5μm工艺进行了流片,最后用搭建的测试系统对该电路的功能进行了验证.结果表明,该电路的过驱动因子符合设计要求.

关键词：像素单元、过驱动技术、热响应、电阻阵列

所属期刊栏目：36

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：6-12