10.3969/j.issn.1672-8785.2014.07.006
基于常温磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备方法研究
采用常温磁控溅射法制备金属钒薄膜,然后在合适的氧气氛围下对其进行退火氧化处理,最终在非晶玻璃衬底上制备出具有相变的高性能二氧化钒(Vanadium Dioxide,VO2)薄膜.X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)测试结果表明,所制薄膜的主要成分为VO2;扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)测试结果表明,所制薄膜的结晶性良好,晶粒粗细均匀.该薄膜在室温下的红外光透过率(2400 mm处)为67%,在高温下的红外光透过率(2400 mm处)为9%.其透过率差值为58%,因此具有良好的红外透过率调节能力.同时还测试分析了薄膜光学转变与电学转变的差异,发现电学转变温度比光学转变温度高4.7℃.该方法适合大面积VO2薄膜的制备,对智能窗的研究与应用具有重要意义.
二氧化钒、磁控溅射、相变、智能窗
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O482(固体物理学)
上海市科委纳米科技项目11nm0502100,12nm0502900;上海市科委基础重点项目13JC1405902;上海市科委研发平台专项12dz2293600;上海市特种光纤与光接入网重点实验室开放课题项目SKLSFO2011-03
2014-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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