不同工作温度下a-Si(n)/c-Si(p)/uc-Si(p+)异质结太阳能电池微晶硅背场的模拟计算与优化

摘要：

采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件,模拟了在不同工作温度下微晶硅背场对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的影响.结果表明,随着背场带隙的增加,开路电压和转化效率都增大.随着背场掺杂浓度的增加,开路电压、填充因子和转化效率都在不断地增加;随着背场厚度的增加,电池性能有所下降.随着电池工作温度的上升,微晶硅背场所对应的最佳浓度掺杂值和最佳厚度值变化不大.但是随着温度的上升,微晶硅背场所对应的最佳带隙值有明显的右移趋势.实验结果为电池的商业化生产提供了实验参数.

关键词：afors-het、异质结太阳能电池、温度、微晶硅背场

所属期刊栏目：34

分类号：O433.4(光学)

在线出版日期：2013-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：40-46