10.3969/j.issn.1672-8785.2012.11.006
水浴沉积法制备硫化镉薄膜的初步研究
采用化学水浴沉积法制备了半导体薄膜硫化镉(CdS)太阳能电池材料,对影响成膜的因素以及薄膜的结构和光学性能进行了初步测试研究.结果表明,反应溶液的pH值以及薄膜的退火温度是影响成膜的重要因素.实验中pH值范围控制在10.5~10.8之间,最佳退火温度为400℃.另外退火时滴加CdC12溶液并将其涂抹于薄膜表面,可以使薄膜在可见光范围的透过率得到进一步的提高.
CdS薄膜、太阳能电池、化学水浴沉积法、光学性能
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TP732.2(遥感技术)
2012-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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