InGaAs光纤探测器封装及耦合效率影响因素研究

摘要：

设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构,测试了芯片耦合前后的性能变化,并分析了影响耦合效率的因素.结果表明,石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合.在0.9～1.7 μm波段,当采用与芯片尺径相当的100 μm光纤进行无透镜直接耦合时,耦合效率可达30％以上；当采用芯径为500 μm的光纤耦合时,耦合效率可达55％以上.多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布.随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加,高斯分布曲线的半宽值增大,光束逐渐发散.芯片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大,其中对横向偏移量的依赖性最强.

关键词：InGaAs探测器、光纤耦合、耦合效率

所属期刊栏目：33

分类号：TN215;TN253(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院上海技术物理研究所创新专项

在线出版日期：2012-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：17-21