稀氮Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件

摘要：

将少量氮原子加入Ⅲ-Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪.这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力.特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用.

关键词：稀氮Ⅲ-Ⅴ族半导体、InAsN、InSbN、中长波红外器件

所属期刊栏目：33

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点基础研究"973"计划项目2011CBA00900, 2012CB93430,2010CB93370;国家自然科学基金项目10804117;上海市创新专项基金项目11DZ1140500;中国科学院知识创新工程项目KGCX2-YW-350

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7