10.3969/j.issn.1672-8785.2012.01.001
碲镉汞材料非本征掺杂研究的发展
通过对近年来的部分英文文献进行归纳与分析,介绍了碲镉汞(Hg1-xCdxTe,MCT)非本征掺杂的研究进展.MCT非本征掺杂是指杂质为Hg、Cd或Te以外的其他元素的情况.描述了MCT晶体结构的基本概念.以一些常用杂质的性质为重点,讨论了MCT掺杂的基本原理和对杂质的选择方法.在器件设计中控制杂质的空间分布和浓度是十分重要的.
碲镉汞、红外探测器、非本征掺杂
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TN305(半导体技术)
2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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