基于神经网络的MOS电阻阵列非均匀性校正

摘要：

对MOS电阻阵列非均匀性产生的原因进行了深入分析,并提出了一种可明显提高红外图像生成质量的新的电阻阵列非均匀性校正方法.通过离线测试得到整个电阻阵列的电压-温度数据和待校正单元的电压-温度数据.以这些原始数据作为神经网络的输入,建立电阻阵列中每个单元的校正前输入和期望输入之间的函数关系,生成查找表,从而解决MOS电阻阵列由各单元响应率不同而引起的非均匀性问题.仿真结果表明,该方法具有可行性.与国内外常用的分段线性化方法相比,其校正效果有了很大的提高.

关键词：MOS电阻阵列、神经网络、非均匀性校正

所属期刊栏目：32

分类号：TN216(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：10-14