10.3969/j.issn.1672-8785.2011.05.001
HgMnTe磁性半导体研究概述
HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域.同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子效应等特殊光电特性和磁学特性.因此,HgMnTe材料具有许多潜在应用,如磁控光电子器件、量子计算和量子通讯,并可能是实现自旋电子学的一种候选材料.
HgMnTe、磁性半导体、磁交换作用、自旋电子学
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N8(自然科学调查、考察)
2011-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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