SiGe/Si异质结的基本特性及其探测器的应用前景

摘要：

综述了SiGe应变层的基本性质,包括SiGe应变层的临界厚度与超晶格的稳定性、带隙和能带变化、折射率增量以及等离子色散效应.总结了材料生长中释放应力的两种形式,包括位错和表面起伏.最后介绍了SiGe/Si应变量子阱光电探测器和红外焦平面阵列探测器的进展及其应用前景.

关键词：SiGe/Si、异质结、超晶格、光电探测器

所属期刊栏目：31

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：山西省自然科学基金资助项目2007011047

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-10,19