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10.3969/j.issn.1672-8785.2010.10.003

渐变带隙Cd1-xZnxTe太阳电池光电转换效率的数值模拟

引用
Cd1-xZnxTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV~2.26eV间连续可调.将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场.该电场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化,而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗,增强光生载流子的收集效率,进而提高电池的光电转换效率.用渐变带隙Cd1-xZnxTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe光吸收层,并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd1-xZnxTe太阳电池的光电响应特性.经计算,该电池在理想情况下(无界面态、有背面场,正背面反射率分别为0和1)的光电转换效率高达41%.

渐变带隙、太阳电池、复合速率、光电转换效率

31

TK514(特殊热能及其机械)

国家自然科学基金10774154;中国科学院知识创新重要方向性项目和上海市科委基础研究重点项目08JC1420900

2010-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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1672-8785

31-1304/TN

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2010,31(10)

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