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10.3969/j.issn.1672-8785.2010.02.002

基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展

引用
作为发光可覆盖整个可见光波段的发光材料,Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点自上世纪90年代以来一直是构筑白光发光二极管(LED)的关键材料之一.本文主要介绍基于缺陷态发光、单源二色互补发光、三基色复合发光和光致发光等发光原理的半导体量子点的白光LED,并比较了不同类型器件的特点.凭借发光效率等主要性能参数的优势,基于GaN基蓝紫光与量子点荧光粉组合得到的白光LED将最有可能首先实现商业化应用.而在高清显示技术方面,结合微接触印刷技术的三基色复合白光LED具有潜在应用价值.最后简要介绍在提高白光LED发光效率方面的进展.

硒化镉、半导体量子点、核壳纳米结构、白光LED

31

TN312+.8(半导体技术)

上海市科委基金06XD14020,07JC14058;上海市纳米专项基金0752nm016

2010-04-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

8-13

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1672-8785

31-1304/TN

31

2010,31(2)

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