10.3969/j.issn.1672-8785.2009.11.007
VOx薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究
VO2是一种热致相变材料.发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化.采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VOx薄膜的结构、电阻-温度性能的影响.结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻一温度突变性能最佳.
VO2薄膜、直流反应磁控溅射、沉积条件、电阻突变
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TB43(工业通用技术与设备)
安徽省红外与低温等离子体重点实验室2007C002107D;安徽省自然科学基金090414182
2010-01-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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