量子限制效应对受主跃迁的影响

摘要：

通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30A到200A)中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响.实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱.在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S3/2(Γ6)到两个激发态2S3/2(Γ6)和3S3/2(Γ6)的双空穴跃迁.研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加.对量子限制效应调节受主杂质问跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径.

关键词：量子限制效应、GaAs/AlAs多量子阱、δ掺杂、光致发光(PL)谱

所属期刊栏目：30

分类号：O472.3;O482.31;TN304.054;TN304.23(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60776044;山东省自然科学基金2006ZRA10001

在线出版日期：2010-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：12-16