近红外GaAs上变频器

摘要：

@@ 据<laser focus world>杂志报道,硅CCD摄像机通常对波长在1.2μm～1.6μm区域的红外辐射不敏感而敏感于波长在1μm以下的红外辐射,要想用这种摄像机对波长在1.2μm～1.6μm范围内的红外辐射进行成像,就得用上变频器的方法使光的波长短于1μm.

机标关键词：近红外、GaAs、红外辐射、波长、CCD摄像机、上变频器、敏感、world、杂志、区域、方法、成像

所属期刊栏目：30

分类号：TN9;TP3

在线出版日期：2009-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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