半导体表面等离子体效应对THz波传输特性的影响

摘要：

本文提出了一种利用激光照射高阻硅来控制硅片中THz波传输特性的方法.利用波长为808nm的激光照射高阻硅产生光生电导来控制硅片对THz波的吸收系数,进而控制硅片中THz波的传输特性,并测量了在光强为1.9W/cm2的激光照射下硅片对THz波的透射特性.在1.9W/cm2的激光照射下,0.07cm硅片的THz波透射量减少了20%.实验证明,利用激光控制硅片中的THz波传输是可行的.

关键词：THz、光生等离子体、复介电常数、吸收系数、复折射率

所属期刊栏目：30

分类号：TP212(自动化技术及设备)

在线出版日期：2009-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29