n型GaN欧姆接触的研究进展

摘要：

Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究.其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题.对于各种应用来说, GaN的欧姆接触需要得到改进.通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN工艺,提高欧姆接触性能等方面的研究进展.

关键词：GaN、欧姆接触、紫外光子探测器、发光二极管、高电子迁移率晶体管、异质结场效应晶体管

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.2+3(半导体技术)

在线出版日期：2009-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1-8