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10.3969/j.issn.1672-8785.2009.05.002

硅基非致冷混合式焦平面探测器阵列研究

引用
本文报道一种32×48元高灵敏非致冷混合式焦平面探测器厚膜阵列.提出了一种采用掺杂钛酸锶钡厚膜作为敏感材料的硅基微机械加工电容式红外探测器像元结构,对其工作原理、器件性能优化设计与制作工艺流程进行了分析,得出了优化的结构参数.分析了影响器件性能的关键因素,给出了器件所用铁电材料的基本物理和电学特性参数以及器件的热隔离技术和相应参数.本结构的像元电容值增量接近相同敏感面的体材料红外探测器,减小了像元与衬底电极引线的寄生电容.采用这种结构的红外探测器阵列对电路的精度要求低,便于研制集成电路.该红外探测器阵列结构的设计思路,符合大阵列红外焦平面像元结构设计的发展趋势,为开展非致冷红外焦平面阵列探测器研究奠定了基础.

非致冷、红外、掺杂钛酸锶钡、厚膜、焦平面探测器

30

TN215(光电子技术、激光技术)

国家"九七三"计划基金资助项目2004CB619300;新世纪人才支持计划基金资助项日NCET-04-0703

2009-06-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

8-13

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1672-8785

31-1304/TN

30

2009,30(5)

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