10.3969/j.issn.1672-8785.2009.03.007
Zn1-xCdxSe/ZnS量子阱材料的共振遂穿特性研究
本文通过对共振隧穿电流密度随外加偏压及应力而变的依赖关系的理论研究,模拟了Zn1-xCdxSe/ZnS共振隧穿电流密度随外加偏压及应力的变化曲线.给出了等效电阻系数随外加偏压及应力而变的依赖关系,得出了介观压阻系数与外应力的变化符合线性关系的结论.这些结论为将机械信号转换为电学信号的介观效应器件的设计提供了理论指导.
介观压阻系数、应力、共振隧穿电流、偏压
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TN304.23(半导体技术)
山西省自然科学基金资助200611010,2-006-2008
2009-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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