离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性的研究(下)

摘要：

本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.

关键词：HgCdTe、环孔pn结、Ⅰ-Ⅴ特性、动态电阻、表面漏电流

所属期刊栏目：30

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：上海市教委创新基金08YZ12;上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室的发展基金SS-E0700601

在线出版日期：2009-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：33-40