离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究(上)
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10.3969/j.issn.1672-8785.2009.01.001

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究(上)

引用
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.

HgCdTe、环孔pn结、I-V特性、动态电阻、表面漏电流

30

TN2(光电子技术、激光技术)

上海市教委创新基金08YZ12;上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室的发展基金SS-E0700601

2009-04-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

1-7

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1672-8785

31-1304/TN

30

2009,30(1)

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