溅射气氛对VOx薄膜结构及性能的影响

摘要：

溅射总气压一定,通过改变氧氩气体的比例,用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VOx薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、QJ31单臂电桥等测试了不同氧氩比例对VOx薄膜的晶体结构、表面形貌、成分和电阻的影响.测试分析结果表明,氧氩比是影响VOx薄膜结构及性能的重要因素.在我们的实验条件下,最佳氧氩比为2∶25,电阻温度系数为-2.87%/℃.

关键词：VOx薄膜、射频磁控反应溅射、电阻温度系数、热致变色材料

所属期刊栏目：29

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：安徽省红外与低温等离子体重点实验室2007C002107D

在线出版日期：2008-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：28-32