热处理对氧化铋在8μm～14μm波段内的发射率的影响

摘要：

本文通过设计正交实验,采用不同的热处理工艺对着色颜料氧化铋粉末进行热处理,随后测量样品在8μm～14μm波段的平均法向发射率,并得出优化的热处理工艺路线;对各个影响因素进行的分析表明,温度是热处理过程中影响样品发射率变化的主要因素,并通过XRD、SEM、EDS等多种表征手段,分析了红外发射率变化的内在机理,结果表明,晶格畸变是引起发射率变化的主要因素,而由气体分子吸附引起的表面成分变化对发射率也有一定的影响.

关键词：红外发射率、正交实验、氧化铋、热处理

所属期刊栏目：29

分类号：TN976

资助基金：国家自然科学基金重大研究计划90505008

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5