10.3969/j.issn.1672-8785.2008.08.001
热处理对氧化铋在8μm~14μm波段内的发射率的影响
本文通过设计正交实验,采用不同的热处理工艺对着色颜料氧化铋粉末进行热处理,随后测量样品在8μm~14μm波段的平均法向发射率,并得出优化的热处理工艺路线;对各个影响因素进行的分析表明,温度是热处理过程中影响样品发射率变化的主要因素,并通过XRD、SEM、EDS等多种表征手段,分析了红外发射率变化的内在机理,结果表明,晶格畸变是引起发射率变化的主要因素,而由气体分子吸附引起的表面成分变化对发射率也有一定的影响.
红外发射率、正交实验、氧化铋、热处理
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TN976
国家自然科学基金重大研究计划90505008
2008-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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