10.3969/j.issn.1672-8785.2008.06.010
用离子注入法研制低暗电流和高性能的Hg0.57Cd0.43Te红外探测器
本文介绍美国雷神视觉系统(BNS)公司和AVYD器件公司在提高红外探测器性能方面所获得的成果.这两家公司联合验证了一些具有高可操作性和高性能的甚大规格成像焦平面列阵,它们将在未来的近红外和短波红外成像应用中发挥应有的潜能.这种探测器的设计理念可能会使像元间距小到5um的大规格焦平面列阵达到衍射限分辨率.本文报导雷神视觉系统公司的先进样品制造广把该公司的Hg1-xCdxTe材料生长和探测器操作工艺方法与AVYD公司的p型离子注入方法结合起来在制作平面探测器列阵晶片方面所做的工作.同时综述像元间距为20um的1024×1024元短波红外焦平面列阵的性能.这种探测器列阵是用响应波段为从近红外至2.5um截止波长的Hg1-xCdxTe材料制作的.通过柱状焊接互连技术,探测器列阵与雷神视觉系统公司的天文学级读出电路片焊接在一起.这些焦平面列阵在整个光谱范围内呈现出极佳的量子效率和均匀性,并呈现出中值为每秒0.25个电子的甚低漏泄电流.用来制作探测器列阵的工程级Hg1-xCdxTe外延层是用经过改进的液相外延方法在CdZnTe衬底上生长的,并经过了复合的钝化/离子注入/钝化处理.本文详细评论探测器的性能数据,其中包括测试结构的电流-电压特性曲线、截止光谱曲线、焦平面列阵的量子效率和漏泄电流.
HgCdTe、短波红外、离子注入、量子效率、平面工艺、红外探测器
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TN3;TQ1
2008-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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