p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究

摘要：

本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究.Ⅰ-Ⅴ变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度.在148K～323K范围内,单位接触电阻Rc随测试温度T的升高趋于呈指数下降,表明Ni/Pt与p-GaN欧姆接触的电流传输机制遵循热电子发射.

关键词：欧姆接触、单位接触电阻、Ⅰ-Ⅴ曲线、变温测试、电流传输机制

所属期刊栏目：29

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2008-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19