10.3969/j.issn.1672-8785.2008.01.006
1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器的设计
分析了导模-辐射模耦合理论和利用经塔米尔的传输回路方法论改造过的扰动理论进行解析的结果[1].根据上述理论对1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器波导层的厚度,槽形、长度,宽度、周期、槽深等做了近似的设计.
光栅耦合器、GeSi/Si异质结、辐射系数、耦合系数
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TN252;TN256(光电子技术、激光技术)
山西省自然科学基金2007011047
2008-05-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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