在硅衬底上研制大规格红外焦平面列阵

摘要：

第三代红外成像技术需要高性能的大规格红外焦平面列阵.HgCdTe红外焦平面列阵所呈现的性能可满足这种要求.基于硅的复合衬底已被证明是实现高分辨率HgCdTe列阵的首选衬底.复合衬底的工艺技术具有可量测性,目前使用的衬底尺寸已达6in,而且具有极好的组分均匀性.代表目前工艺水平的复合衬底所呈现的位错密度处于中低档范围,即105cm-2.然而,在复合衬底上生长的HgCdTe外延层所呈现的缺陷密度为106cm-2.最近在CdSeTe/Si复合衬底方面的研制工作表明,这种衬底很有希望与HgCdTe合金达到更好的晶格匹配.可以预见,若能进一步提高材料质量并改进器件结构,那么实现基于HgCdTe的可量测的工艺技术是完全可能的.

关键词：CdSeTe、CdTe/Si、长波红外、红外探测器、分子束外延、HgCdTe

所属期刊栏目：28

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：40-46